技術: MOSFET（金属酸化物）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: -55°C～175°C（TJ）
Vgs（最大）: ±20V
取り付けタイプ: スルーホール
電力散逸（最大）: 136W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 3.75V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 5.5ミリオーム @ 50A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 80 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 111A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 48 nC @ 7 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 7V、10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 4773 pF @ 40 V