技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: NおよびPチャンネルコンプリメンタリ
認定: AEC-Q101
FET機能: -
グレード: 自動車
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 490mW（Ta）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: -
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 34ミリオーム @ 4.5A、4.5V、66ミリオーム @ 3.6A、4.5V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 4.5A（Ta）、3.6A（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 10nC @ 4.5V、13nC @ 4.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 619pF @ 10V、785pF @ 10V