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PMBFJ113,215
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メーカー: NXP USA Inc.
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数量
認定: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 300 mW
抵抗 - RDS（On）: 100 Ohms
取り付けタイプ: 面実装
電流ドレイン（Id） - 最大: -
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 40 V
電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）: 3 V @ 1 µA
電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）: 40 V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 6pF @ 10V（VGS）
電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）: 2 mA @ 15 V
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FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 300 mW
抵抗 - RDS（On）: 100 Ohms
取り付けタイプ: 面実装
電流ドレイン（Id） - 最大: -
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 40 V
電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）: 3 V @ 1 µA
電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）: 40 V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 6pF @ 10V（VGS）
電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）: 2 mA @ 15 V
