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PBSS5130QAZ
PBSS5130QAZ
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認定: -
グレード: -
動作温度: 150°C(TJ)
電力 - 最大: 325 mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: PNP
Vce飽和(最大) @ lb、Ic: 240mV @ 100mA、1A
周波数 - トランジション: 170MHz
電流 - コレクタ遮断(最大): 100nA(ICBO)
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 1 A
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 130 @ 1A、2V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 30 V
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グレード: -
動作温度: 150°C(TJ)
電力 - 最大: 325 mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: PNP
Vce飽和(最大) @ lb、Ic: 240mV @ 100mA、1A
周波数 - トランジション: 170MHz
電流 - コレクタ遮断(最大): 100nA(ICBO)
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 1 A
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 130 @ 1A、2V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 30 V
