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PBSS4130QAZ
PBSS4130QAZ
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メーカー: NXP Semiconductors
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数量
認定: -
グレード: -
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 325 mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
Vce飽和（最大） @ lb、Ic: 245mV @ 50mA、1A
周波数 - トランジション: 190MHz
電流 - コレクタ遮断（最大）: 100nA（ICBO）
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 1 A
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 180 @ 1A、2V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 30 V
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グレード: -
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 325 mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
Vce飽和（最大） @ lb、Ic: 245mV @ 50mA、1A
周波数 - トランジション: 190MHz
電流 - コレクタ遮断（最大）: 100nA（ICBO）
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 1 A
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 180 @ 1A、2V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 30 V
