技術: パワーMOSFET
特長: ブートストラップ回路、ダイオードエミュレーション
用途: 同期式降圧コンバータ、電圧レギュレータ
認定: -
グレード: -
出力構成: ハーフブリッジ（2）
動作温度: 0°C～125°C（TJ）
負荷タイプ: 誘導性
電圧 - 供給: 4.5V～5.5V
電圧 - 負荷: 10.8V～13.2V
Rds On（標準）: -
フォールト保護: シュートスルー、UVLO
取り付けタイプ: 面実装
インターフェース: PWM
電流 - ピーク出力: -
電流 - 出力/チャンネル: 2A