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P3M173K0T3
P3M173K0T3
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メーカー: PN Junction Semiconductor
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数量
技術: SiCFET（炭化ケイ素）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: -55°C～175°C（TJ）
Vgs（最大）: +19V、-8V
取り付けタイプ: スルーホール
電力散逸（最大）: 75W
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.2V @ 600µA（標準）
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 2.6オーム @ 600mA、15V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1700 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 4A
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 15V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -
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認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: -55°C～175°C（TJ）
Vgs（最大）: +19V、-8V
取り付けタイプ: スルーホール
電力散逸（最大）: 75W
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.2V @ 600µA（標準）
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 2.6オーム @ 600mA、15V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1700 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 4A
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 15V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -
