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ON5088,115
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メーカー: NXP USA Inc.
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ゲイン: 13dB
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 136mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
周波数 - トランジション: 55GHz
雑音指数（fあたりの標準dB）: 1.1dB @ 12GHz
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 40mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 160 @ 10mA、2V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 10V
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動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 136mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
周波数 - トランジション: 55GHz
雑音指数（fあたりの標準dB）: 1.1dB @ 12GHz
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 40mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 160 @ 10mA、2V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 10V
