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NXV08H350XT1
NXV08H350XT1
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技術: MOSFET(金属酸化物)
構成: -
認定: AEC-Q101
FET機能: -
グレード: 自動車
動作温度: -40°C~125°C(TA)
電力 - 最大: -
取り付けタイプ: スルーホール
Id印加時のVgs(th)(最大): 4.6V @ 1mA
Id、Vgs印加時のRds On(最大): 0.762ミリオーム @ 160A、12V
ドレイン~ソース間電圧(Vdss): 80V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id): -
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大): 320nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大): 24350pF @ 40V
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構成: -
認定: AEC-Q101
FET機能: -
グレード: 自動車
動作温度: -40°C~125°C(TA)
電力 - 最大: -
取り付けタイプ: スルーホール
Id印加時のVgs(th)(最大): 4.6V @ 1mA
Id、Vgs印加時のRds On(最大): 0.762ミリオーム @ 160A、12V
ドレイン~ソース間電圧(Vdss): 80V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id): -
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大): 320nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大): 24350pF @ 40V
