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NXPLQSC30650WQ
NXPLQSC30650WQ
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メーカー: WeEn Semiconductors
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技術: SiC(Silicon Carbide)Schottky
認定: -
速度: 回復時間なし > 500mA(Io)
グレード: -
ダイオード構成: 1組共通カソード
取り付けタイプ: スルーホール
逆回復時間(trr): 0 ns
動作温度 - ジャンクション: 175°C(最大)
電流 - Vr印加時の逆方向漏れ: 250 µA @ 650 V
電圧 - DC逆方向(Vr)(最大): 650 V
電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大): 1.95 V @ 15 A
電流 - 平均整流(Io)(ダイオード当たり): 30A
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認定: -
速度: 回復時間なし > 500mA(Io)
グレード: -
ダイオード構成: 1組共通カソード
取り付けタイプ: スルーホール
逆回復時間(trr): 0 ns
動作温度 - ジャンクション: 175°C(最大)
電流 - Vr印加時の逆方向漏れ: 250 µA @ 650 V
電圧 - DC逆方向(Vr)(最大): 650 V
電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大): 1.95 V @ 15 A
電流 - 平均整流(Io)(ダイオード当たり): 30A
