技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: NおよびPチャンネル
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 220mW、280mW
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.1V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 4.5オーム @ 100mA、10V、7.5オーム @ 100mA、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 60V、50V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 170mA（Ta）、160mA（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 0.43nC @ 4.5V、0.35nC @ 5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 17pF @ 10V、36pF @ 25V