技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: NおよびPチャンネルコンプリメンタリ
認定: AEC-Q101
FET機能: 論理レベルゲート
グレード: 自動車
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 330mW（Ta）、1.09W（Tc）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.1V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 1.6オーム @ 500mA、10V、7.5オーム @ 100mA、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 50V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 330mA（Ta）、170mA（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 0.6nC @ 4.5V、0.35nC @ 5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 50pF @ 10V、36pF @ 25V