技術: シリコンカーバイド（SiC）
構成: 6Nチャンネル（3相ブリッジ）
認定: AEC-Q101
FET機能: -
グレード: 自動車
動作温度: -40°C～175°C（TJ）
電力 - 最大: 900W（Tj）
取り付けタイプ: シャーシマウント
Id印加時のVgs（th）（最大）: 4.3V @ 150mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 2.7ミリオーム @ 510A、18V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 900V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 510A（Tj）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 1800nC @ 18V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 35000pF @ 400V