技術: シリコンカーバイド（SiC）
構成: Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）
認定: AEC-Q101
FET機能: -
グレード: 自動車
動作温度: -40°C～175°C（TJ）
電力 - 最大: 1kW（Tj）
取り付けタイプ: スルーホール
Id印加時のVgs（th）（最大）: 3.2V @ 150mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 2.6ミリオーム @ 400A、20V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1200V（1.2kV）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 400A（Tj）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 1.75µC @ 20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 31700pF @ 800V