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NVMJD015N06CLTWG
NVMJD015N06CLTWG
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技術: -
構成: 2 Nチャンネル(デュアル)
認定: AEC-Q101
FET機能: -
グレード: 自動車
動作温度: -55°C~175°C(TJ)
電力 - 最大: 3.1W(Ta)、37W(Tc)
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs(th)(最大): 2.2V @ 25µA
Id、Vgs印加時のRds On(最大): 14.4ミリオーム @ 17A、10V
ドレイン~ソース間電圧(Vdss): 60V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id): 10.1A(Ta)、35A(Tc)
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大): 9.4nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大): 643pF @ 30V
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構成: 2 Nチャンネル(デュアル)
認定: AEC-Q101
FET機能: -
グレード: 自動車
動作温度: -55°C~175°C(TJ)
電力 - 最大: 3.1W(Ta)、37W(Tc)
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs(th)(最大): 2.2V @ 25µA
Id、Vgs印加時のRds On(最大): 14.4ミリオーム @ 17A、10V
ドレイン~ソース間電圧(Vdss): 60V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id): 10.1A(Ta)、35A(Tc)
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大): 9.4nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大): 643pF @ 30V
