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NV6042C
NV6042C
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メーカー: Navitas Semiconductor, Inc.
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技術: GaNFET（窒化ガリウム）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C
Vgs（最大）: +7V, -2V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: 62.5W
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.8V @ 4.5mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 630mOhm @ 1.5A, 6.8V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 700 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 3A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 500 pC @ 6 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 6.8V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 26 pF @ 400 V
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認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C
Vgs（最大）: +7V, -2V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: 62.5W
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.8V @ 4.5mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 630mOhm @ 1.5A, 6.8V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 700 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 3A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 500 pC @ 6 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 6.8V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 26 pF @ 400 V
