技術: GaNFET（窒化ガリウム）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C
Vgs（最大）: +7V、-10V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: 25.4W (Tc)
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.8V @ 2.3mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 600mOhm @ 1.35A, 7V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 700 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 2.7A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 0.85 nC @ 6 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 7V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 28 pF @ 400 V