技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: 2N-チャンネル（デュアル）非対称
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 960mW（Ta）、1W（Ta）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2V @ 250µA、2V @ 800µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 3.3ミリオーム @ 20A、10V、1.1ミリオーム @ 37A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 25V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 13A（Ta）、74A（Tc）、24A（Ta）、155A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 7.2nC @ 4.5V、21.5nC @ 4.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1180pF @ 13V、3603pF @ 13V