技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: 2 Nチャンネル（デュアル）
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 960mW（Ta）、27W（Tc）、1W（Ta）、44W（Tc）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.1V @ 240µA、2.1V @ 850µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 3ミリオーム @ 20A、10V、0.87ミリオーム @ 37A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 25V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 14A（Ta）、75A（Tc）、27A（Ta）、178A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 15nC @ 10V、59nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1080pF @ 12V、4265pF @ 12V