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NT1189GDAE3S
NT1189GDAE3S
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メーカー: Nisshinbo micro devices
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P1dB: 19dBm
認定: -
ゲイン: 26dB
周波数: 3.3GHz～5GHz
RFタイプ: セルラー、LNA
グレード: -
雑音指数: 0.63dB
電圧 - 供給: 3.3V～5.5V
電流 - 供給: 50mA
テスト周波数: 4.4GHz、4.7GHz、5GHz
取り付けタイプ: 面実装
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認定: -
ゲイン: 26dB
周波数: 3.3GHz～5GHz
RFタイプ: セルラー、LNA
グレード: -
雑音指数: 0.63dB
電圧 - 供給: 3.3V～5.5V
電流 - 供給: 50mA
テスト周波数: 4.4GHz、4.7GHz、5GHz
取り付けタイプ: 面実装
