仕入ランク:A
1
/
の
1
NSVJ5908DSG5T1G
NSVJ5908DSG5T1G
価格はお問合せ
要確認
数量
認定: AEC-Q101
FETタイプ: 2 Nチャンネル(デュアル)
グレード: 自動車
動作温度: -55°C~150°C(TJ)
電力 - 最大: 300 mW
抵抗 - RDS(On): -
取り付けタイプ: 面実装
電流ドレイン(Id) - 最大: 50 mA
ドレイン~ソース間電圧(Vdss): 15 V
電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ): 300 mV @ 100 µA
電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS): 15 V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大): 10.5pF @ 5V(標準)
電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss): 10 mA @ 5 V
詳細を表示する
FETタイプ: 2 Nチャンネル(デュアル)
グレード: 自動車
動作温度: -55°C~150°C(TJ)
電力 - 最大: 300 mW
抵抗 - RDS(On): -
取り付けタイプ: 面実装
電流ドレイン(Id) - 最大: 50 mA
ドレイン~ソース間電圧(Vdss): 15 V
電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ): 300 mV @ 100 µA
電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS): 15 V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大): 10.5pF @ 5V(標準)
電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss): 10 mA @ 5 V
