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NSTB1002DXV5T1
NSTB1002DXV5T1
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メーカー: ONSEMI
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認定: -
グレード: -
電力 - 最大: 500mW
取り付けタイプ: 面実装
抵抗 - ベース(R1): 47キロオーム
トランジスタタイプ: 1 NPNプリバイアス、1 PNP
Vce飽和(最大) @ lb、Ic: 250mV @ 300µA、10mA / 400mV @ 5mA、50mA
周波数 - トランジション: 250MHz
抵抗 - エミッタベース(R2): 47キロオーム
電流 - コレクタ遮断(最大): 500nA
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 100mA、200mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 80 @ 5mA、10V / 100 @ 1mA、10V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 50V、40V
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グレード: -
電力 - 最大: 500mW
取り付けタイプ: 面実装
抵抗 - ベース(R1): 47キロオーム
トランジスタタイプ: 1 NPNプリバイアス、1 PNP
Vce飽和(最大) @ lb、Ic: 250mV @ 300µA、10mA / 400mV @ 5mA、50mA
周波数 - トランジション: 250MHz
抵抗 - エミッタベース(R2): 47キロオーム
電流 - コレクタ遮断(最大): 500nA
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 100mA、200mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 80 @ 5mA、10V / 100 @ 1mA、10V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 50V、40V
