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NSM80101MT1G
NSM80101MT1G
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認定: -
グレード: -
動作温度: -55°C~150°C(TJ)
電力 - 最大: 400 mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN+ダイオード(絶縁型)
Vce飽和(最大) @ lb、Ic: 300mV @ 10mA、100mA
周波数 - トランジション: 150MHz
電流 - コレクタ遮断(最大): 100nA
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 500 mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 120 @ 10mA、1V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 80 V
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グレード: -
動作温度: -55°C~150°C(TJ)
電力 - 最大: 400 mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN+ダイオード(絶縁型)
Vce飽和(最大) @ lb、Ic: 300mV @ 10mA、100mA
周波数 - トランジション: 150MHz
電流 - コレクタ遮断(最大): 100nA
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 500 mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 120 @ 10mA、1V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 80 V
