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NSD10159-DSTAR
NSD10159-DSTAR
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認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~125°C(TA)
駆動構成: ローサイド
ドライバ数: 1
入力タイプ: 非反転
電圧 - 供給: 4.7V~32V
ゲートタイプ: IGBT、SiC MOSFET
取り付けタイプ: 面実装
チャンネルタイプ: シングル
論理電圧 - VIL、VIH: 1.6V、-
DigiKeyプログラマブル: -
立ち上がり/立ち下がり時間(標準): 9ns、8ns
電流 - ピーク出力(ソース/シンク): 3.5A、4A
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ): -
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グレード: -
動作温度: -40°C~125°C(TA)
駆動構成: ローサイド
ドライバ数: 1
入力タイプ: 非反転
電圧 - 供給: 4.7V~32V
ゲートタイプ: IGBT、SiC MOSFET
取り付けタイプ: 面実装
チャンネルタイプ: シングル
論理電圧 - VIL、VIH: 1.6V、-
DigiKeyプログラマブル: -
立ち上がり/立ち下がり時間(標準): 9ns、8ns
電流 - ピーク出力(ソース/シンク): 3.5A、4A
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ): -
