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NLX26PFS-6NAT
NLX26PFS-6NAT
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メーカー: Insignis Technology Corporation
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数量
技術: SDRAM - モバイルLPDDR4X
認定: AEC-Q100
グレード: 自動車
動作温度: -40°C~105°C(TC)
メモリ構成: 128M x 16
電圧 - 供給: 1.06V~1.17V、1.7V~1.95V
アクセス時間: 3.5 ns
メモリサイズ: 2Gビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 1.6 GHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: DRAM
メモリインターフェース: LVSTL
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 18ns
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認定: AEC-Q100
グレード: 自動車
動作温度: -40°C~105°C(TC)
メモリ構成: 128M x 16
電圧 - 供給: 1.06V~1.17V、1.7V~1.95V
アクセス時間: 3.5 ns
メモリサイズ: 2Gビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 1.6 GHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: DRAM
メモリインターフェース: LVSTL
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 18ns
