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NESG2107M33-T3-A
NESG2107M33-T3-A
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メーカー: CEL
数量
ゲイン: 7dB~10dB
動作温度: 150°C(TJ)
電力 - 最大: 130mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
周波数 - トランジション: 10GHz
雑音指数(fあたりの標準dB): 0.9dB~1.5dB @ 2GHz
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 100mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 140 @ 5mA、1V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 5V
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動作温度: 150°C(TJ)
電力 - 最大: 130mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
周波数 - トランジション: 10GHz
雑音指数(fあたりの標準dB): 0.9dB~1.5dB @ 2GHz
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 100mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 140 @ 5mA、1V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 5V