ゲイン: 9.5dB～11.5dB
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 130mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
周波数 - トランジション: 18GHz
雑音指数（fあたりの標準dB）: 0.8dB～1.5dB @ 2GHz
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 40mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 140 @ 2mA、1V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 5V