ゲイン: 10dB
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 200mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: PNP
周波数 - トランジション: 5.5GHz
雑音指数（fあたりの標準dB）: 2dB @ 1GHz
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 50mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 20 @ 15mA、10V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 12V