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NE856M02-AZ
NE856M02-AZ
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メーカー: CEL
数量
ゲイン: 12dB
動作温度: 150°C(TJ)
電力 - 最大: 1.2W
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
周波数 - トランジション: 6.5GHz
雑音指数(fあたりの標準dB): 1.1dB @ 1GHz
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 100mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 50 @ 20mA、10V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 12V
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動作温度: 150°C(TJ)
電力 - 最大: 1.2W
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
周波数 - トランジション: 6.5GHz
雑音指数(fあたりの標準dB): 1.1dB @ 1GHz
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 100mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 50 @ 20mA、10V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 12V
