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NE85630-T1
NE85630-T1
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メーカー: CEL
数量
ゲイン: 6dB~12dB
動作温度: 150°C(TJ)
電力 - 最大: 150mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
周波数 - トランジション: 4.5GHz
雑音指数(fあたりの標準dB): 1.3dB~2.2dB @ 1GHz~2GHz
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 100mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 40 @ 7mA、3V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 12V
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動作温度: 150°C(TJ)
電力 - 最大: 150mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
周波数 - トランジション: 4.5GHz
雑音指数(fあたりの標準dB): 1.3dB~2.2dB @ 1GHz~2GHz
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 100mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 40 @ 7mA、3V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 12V
