ゲイン: 18dB
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 115mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
周波数 - トランジション: 25GHz
雑音指数（fあたりの標準dB）: 1.1dB @ 2GHz
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 35mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 50 @ 5mA、2V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 3.3V