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NE5230DR2G
NE5230DR2G
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認定: -
回路数: 1
グレード: -
動作温度: 0°C~70°C
帯域幅-3db: -
出力タイプ: レール ツー レール
電流 - 供給: 1.1mA
アンプタイプ: 標準(汎用)
スルーレート: 0.25V/µs
ゲイン帯域幅積: 600 kHz
取り付けタイプ: 面実装
電流 - 入力バイアス: 40 nA
電圧 - スパン(最大): 15 V
電圧 - スパン(最小): 1.8 V
電圧 - 入力オフセット: 400 µV
電流 - 出力/チャンネル: 32 mA
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回路数: 1
グレード: -
動作温度: 0°C~70°C
帯域幅-3db: -
出力タイプ: レール ツー レール
電流 - 供給: 1.1mA
アンプタイプ: 標準(汎用)
スルーレート: 0.25V/µs
ゲイン帯域幅積: 600 kHz
取り付けタイプ: 面実装
電流 - 入力バイアス: 40 nA
電圧 - スパン(最大): 15 V
電圧 - スパン(最小): 1.8 V
電圧 - 入力オフセット: 400 µV
電流 - 出力/チャンネル: 32 mA
