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NDD56PT6-2AET TR
NDD56PT6-2AET TR
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メーカー: Insignis Technology Corporation
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数量
技術: SDRAM - DDR
認定: -
グレード: -
動作温度: 0°C~70°C(TA)
メモリ構成: 32M x 16
電圧 - 供給: 2.3V~2.7V
アクセス時間: -
メモリサイズ: 512Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 200 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: DRAM
DigiKeyプログラマブル: -
メモリインターフェース: SSTL_2
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
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認定: -
グレード: -
動作温度: 0°C~70°C(TA)
メモリ構成: 32M x 16
電圧 - 供給: 2.3V~2.7V
アクセス時間: -
メモリサイズ: 512Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 200 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: DRAM
DigiKeyプログラマブル: -
メモリインターフェース: SSTL_2
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
