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NCV5183DR2G
NCV5183DR2G
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認定: AEC-Q100
グレード: 自動車
動作温度: -40°C~125°C(TJ)
駆動構成: ハーフブリッジ
ドライバ数: 2
入力タイプ: 非反転
電圧 - 供給: 9V~18V
ゲートタイプ: MOSFET(Nチャンネル)
取り付けタイプ: 面実装
チャンネルタイプ: 独立
論理電圧 - VIL、VIH: 1.2V、2.5V
DigiKeyプログラマブル: 未検証
立ち上がり/立ち下がり時間(標準): 12ns、12ns
電流 - ピーク出力(ソース/シンク): 4.3A、4.3A
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ): 600 V
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グレード: 自動車
動作温度: -40°C~125°C(TJ)
駆動構成: ハーフブリッジ
ドライバ数: 2
入力タイプ: 非反転
電圧 - 供給: 9V~18V
ゲートタイプ: MOSFET(Nチャンネル)
取り付けタイプ: 面実装
チャンネルタイプ: 独立
論理電圧 - VIL、VIH: 1.2V、2.5V
DigiKeyプログラマブル: 未検証
立ち上がり/立ち下がり時間(標準): 12ns、12ns
電流 - ピーク出力(ソース/シンク): 4.3A、4.3A
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ): 600 V
