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NCV51511PDR2G
NCV51511PDR2G
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認定: AEC-Q100
グレード: 自動車
動作温度: -40°C~150°C(TJ)
駆動構成: ハイサイドまたはローサイド
ドライバ数: 2
入力タイプ: 非反転
電圧 - 供給: 8V~16V
ゲートタイプ: MOSFET(Nチャンネル)
取り付けタイプ: 面実装
チャンネルタイプ: 同期
論理電圧 - VIL、VIH: 2V、1.8V
DigiKeyプログラマブル: 未検証
立ち上がり/立ち下がり時間(標準): 6ns、4ns
電流 - ピーク出力(ソース/シンク): 3A、6A
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ): 100 V
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グレード: 自動車
動作温度: -40°C~150°C(TJ)
駆動構成: ハイサイドまたはローサイド
ドライバ数: 2
入力タイプ: 非反転
電圧 - 供給: 8V~16V
ゲートタイプ: MOSFET(Nチャンネル)
取り付けタイプ: 面実装
チャンネルタイプ: 同期
論理電圧 - VIL、VIH: 2V、1.8V
DigiKeyプログラマブル: 未検証
立ち上がり/立ち下がり時間(標準): 6ns、4ns
電流 - ピーク出力(ソース/シンク): 3A、6A
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ): 100 V
