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NCP81080DR2G
NCP81080DR2G
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認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~140°C(TJ)
駆動構成: ハーフブリッジ
ドライバ数: 2
入力タイプ: TTL
電圧 - 供給: 5.5V~20V
ゲートタイプ: MOSFET(Nチャンネル)
取り付けタイプ: 面実装
チャンネルタイプ: 同期
論理電圧 - VIL、VIH: 1.2V、1.8V
DigiKeyプログラマブル: 未検証
立ち上がり/立ち下がり時間(標準): 19ns、17ns
電流 - ピーク出力(ソース/シンク): 500mA、800mA
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ): -
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グレード: -
動作温度: -40°C~140°C(TJ)
駆動構成: ハーフブリッジ
ドライバ数: 2
入力タイプ: TTL
電圧 - 供給: 5.5V~20V
ゲートタイプ: MOSFET(Nチャンネル)
取り付けタイプ: 面実装
チャンネルタイプ: 同期
論理電圧 - VIL、VIH: 1.2V、1.8V
DigiKeyプログラマブル: 未検証
立ち上がり/立ち下がり時間(標準): 19ns、17ns
電流 - ピーク出力(ソース/シンク): 500mA、800mA
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ): -
