技術: パワーMOSFET
特長: ブートストラップ回路
用途: 汎用
認定: -
グレード: -
出力構成: ハーフブリッジ（2）
動作温度: -40°C～125°C（TJ）
負荷タイプ: 誘導性、容量性
電圧 - 供給: 10V～17V
電圧 - 負荷: 700V
Rds On（標準）: -
フォールト保護: UVLO
取り付けタイプ: 面実装
インターフェース: 論理、PWM
電流 - ピーク出力: 3.5A
電流 - 出力/チャンネル: 2A