技術: パワーMOSFET
特長: ブートストラップ回路、内部発振器
用途: AC負荷、バルブ、汎用
認定: -
グレード: -
出力構成: ハーフブリッジ（2）
動作温度: -40°C～150°C（TJ）
負荷タイプ: 誘導性、容量性、抵抗性
電圧 - 供給: 16V
電圧 - 負荷: 16V
Rds On（標準）: 5ミリオームLS、12ミリオームHS
フォールト保護: シュートスルー
取り付けタイプ: 面実装
インターフェース: オン/オフ
電流 - ピーク出力: 1A
電流 - 出力/チャンネル: -