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NCD5707BDR2G
NCD5707BDR2G
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認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~125°C(TA)
駆動構成: ハーフブリッジ
ドライバ数: 1
入力タイプ: 反転
電圧 - 供給: 7V~20V
ゲートタイプ: IGBT、MOSFET(Nチャンネル)
取り付けタイプ: 面実装
チャンネルタイプ: シングル
論理電圧 - VIL、VIH: 0.75V、4.3V
DigiKeyプログラマブル: -
立ち上がり/立ち下がり時間(標準): 9.2ns、7.9ns
電流 - ピーク出力(ソース/シンク): 7.8A、6.8A
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ): -
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グレード: -
動作温度: -40°C~125°C(TA)
駆動構成: ハーフブリッジ
ドライバ数: 1
入力タイプ: 反転
電圧 - 供給: 7V~20V
ゲートタイプ: IGBT、MOSFET(Nチャンネル)
取り付けタイプ: 面実装
チャンネルタイプ: シングル
論理電圧 - VIL、VIH: 0.75V、4.3V
DigiKeyプログラマブル: -
立ち上がり/立ち下がり時間(標準): 9.2ns、7.9ns
電流 - ピーク出力(ソース/シンク): 7.8A、6.8A
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ): -
