技術: SiCFET（炭化ケイ素）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: -
グレード: -
動作温度: -
Vgs（最大）: +22V、-8V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: -
Id印加時のVgs（th）（最大）: 3.5V @ 40mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 12ミリオーム @ 20A、20V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 214A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 8330 pF @ 1000 V