技術: SiCFET（炭化ケイ素）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: -55°C～175°C
Vgs（最大）: +25V、-5V
取り付けタイプ: スルーホール
電力散逸（最大）: 288W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 3V @ 10mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 90ミリオーム @ 20A、20V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 3300 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 34A
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -