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N01L83W2AT25IT
N01L83W2AT25IT
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メーカー: AMI Semiconductor Inc.
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数量
技術: SRAM - 非同期
認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 128K x 8
電圧 - 供給: 2.3V~3.6V
アクセス時間: 55 ns
メモリサイズ: 1Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: SRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 55ns
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認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 128K x 8
電圧 - 供給: 2.3V~3.6V
アクセス時間: 55 ns
メモリサイズ: 1Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: SRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 55ns
