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MV2N5114
MV2N5114
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認定: MIL-PRF-19500
FETタイプ: Pチャンネル
グレード: 軍事用
動作温度: -65°C~200°C(TJ)
電力 - 最大: 500 mW
抵抗 - RDS(On): 75 Ohms
取り付けタイプ: スルーホール
電流ドレイン(Id) - 最大: -
ドレイン~ソース間電圧(Vdss): 30 V
電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ): 10 V @ 1 nA
電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS): 30 V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大): 25pF @ 15V
電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss): 90 mA @ 18 V
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FETタイプ: Pチャンネル
グレード: 軍事用
動作温度: -65°C~200°C(TJ)
電力 - 最大: 500 mW
抵抗 - RDS(On): 75 Ohms
取り付けタイプ: スルーホール
電流ドレイン(Id) - 最大: -
ドレイン~ソース間電圧(Vdss): 30 V
電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ): 10 V @ 1 nA
電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS): 30 V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大): 25pF @ 15V
電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss): 90 mA @ 18 V
