技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: 6Nチャンネル（3相ブリッジ）
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～175°C（TJ）
電力 - 最大: -
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 4V @ 1mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 3.1ミリオーム @ 100A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 75V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 180A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 178nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 10500pF @ 25V