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MT53E256M16D1FW-046 AAT:B TR
MT53E256M16D1FW-046 AAT:B TR
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技術: SDRAM - モバイルLPDDR4X
認定: AEC-Q100
グレード: 自動車
動作温度: -40°C~105°C(TC)
メモリ構成: 256M x 16
電圧 - 供給: 1.06V~1.17V
アクセス時間: 3.5 ns
メモリサイズ: 4Gビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 2.133 GHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: DRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 18ns
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認定: AEC-Q100
グレード: 自動車
動作温度: -40°C~105°C(TC)
メモリ構成: 256M x 16
電圧 - 供給: 1.06V~1.17V
アクセス時間: 3.5 ns
メモリサイズ: 4Gビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 2.133 GHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: DRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 18ns
