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MT3S16U(TE85L,F)
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メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
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認定: -
ゲイン: 4.5dBi
グレード: -
動作温度: 125°C(TJ)
電力 - 最大: 100mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
周波数 - トランジション: 4GHz
雑音指数(fあたりの標準dB): 2.4dB @ 1GHz
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 60mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 80 @ 5mA、1V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 5V
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ゲイン: 4.5dBi
グレード: -
動作温度: 125°C(TJ)
電力 - 最大: 100mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
周波数 - トランジション: 4GHz
雑音指数(fあたりの標準dB): 2.4dB @ 1GHz
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 60mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 80 @ 5mA、1V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 5V
