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MT3S111TU,LF
MT3S111TU,LF
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メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
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数量
認定: -
ゲイン: 12.5dB
グレード: -
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 800mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
周波数 - トランジション: 10GHz
雑音指数（fあたりの標準dB）: 0.6dB～0.85dB @ 500MHz～1GHz
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 100mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 200 @ 30mA、5V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 6V
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ゲイン: 12.5dB
グレード: -
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 800mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
周波数 - トランジション: 10GHz
雑音指数（fあたりの標準dB）: 0.6dB～0.85dB @ 500MHz～1GHz
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 100mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 200 @ 30mA、5V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 6V
