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MT29F2G16ABAEAWP-AAT:E TR
MT29F2G16ABAEAWP-AAT:E TR
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技術: フラッシュ - NAND
認定: AEC-Q100
グレード: 自動車
動作温度: -40°C~105°C(TA)
メモリ構成: 128M x 16
電圧 - 供給: 2.7V~3.6V
アクセス時間: -
メモリサイズ: 2Gビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
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認定: AEC-Q100
グレード: 自動車
動作温度: -40°C~105°C(TA)
メモリ構成: 128M x 16
電圧 - 供給: 2.7V~3.6V
アクセス時間: -
メモリサイズ: 2Gビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
