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MT29F1G01AAADDH4:D TR
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技術: フラッシュ - NAND
認定: -
グレード: -
動作温度: 0°C~70°C(TA)
メモリ構成: 1G x 1
電圧 - 供給: 2.7V~3.6V
アクセス時間: -
メモリサイズ: 1Gビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: SPI
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
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認定: -
グレード: -
動作温度: 0°C~70°C(TA)
メモリ構成: 1G x 1
電圧 - 供給: 2.7V~3.6V
アクセス時間: -
メモリサイズ: 1Gビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: SPI
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
