技術: フラッシュ - NAND、モバイルLPDRAM
認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C～85°C（TA）
メモリ構成: 128M x 8 （NAND）、16M x 32 （LPDRAM）
電圧 - 供給: 1.7V～1.95V
アクセス時間: -
メモリサイズ: 1Gビット（NAND）、512Mビット（LPDRAM）
メモリタイプ: 不揮発性、揮発性
クロック周波数: 200 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: FLASH、RAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -